Флеш-память можно будет увеличить за счет молекул

14:42 21.11.2014


Испанскими и британскими учеными были предложены новые устройства для хранения памяти, в основе которых лежат кластеры наноразмерных полиоксометаллатов.

Разработчики проекта предлагают модифицировать оксидный слой используемой в полупроводниках флэш-памяти МОП-структуры и добавить кластеры полиоксометаллатов.

Последние представляют собой группу металлооксидных соединений кластерного типа со сложной геометрией.

Благодаря низкой чувствительности полиоксометаллатов к присутствию окислителей, их часто используют в качестве катализаторов.

В отличие от ранее используемых в МОП-структуре добавок, окислительные возможности полиоксометаллтов позволят существенно увеличить объемы хранимой информации.

Ученым уже удалось добиться в своей работе успешного встраивания полиоксометаллатов в оксидный слой. Стоит отметить, что МОТ-структура  используется при производстве различных полупроводниковых приборов, и ее название является аббревиатурой и расшифровывается как «металл-оксид-полупроводник».

По материалам:  (http://naked-science.ru) 

Версия для печати